本书讲解了半导体物理与器件的相关知识。主要内容包括：半导体基础原理、空穴、掺杂、PN结的形成，肖特基二极管、发光二极管等常用二极管的原理，BJT、JFET、MOS等常用三极管的原理，运算放大器的原理及应用，以及功率半导体的原理漫谈，最后阐述了半导体未来的发展趋势。

本书共11章。第1章简要介绍了高压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基ICBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IG

全书以“材料生长-器件制备-性能分析”为主线，构建了层层递进的学术逻辑体系。全书内容涵盖氮化镓单晶材料生长及外延、氮化镓二极管器件制备及特性、氮化镓三极管器件、氮化镓异质结探测器、氮化镓-金刚石集成方法及特性、总结与展望。

本书面向半导体显示领域的当前主流技术(液晶显示、有机发光二极管显示和电子纸显示等),系统而深入地讲解与之密切相关的有源矩阵驱动原理、面板周边集成电路工作原理以及模组外围电路的实现方法原理等。本书共分9章。第1章介绍半导体显示电子系统构成及半导体显示电子学范畴等;第2章阐述主要显示器件的工作原理及驱动概要等;第3章介绍有

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极硬半导体衬底磨粒加工原理与关键技术

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本书对LED芯片制造及可靠性测试技术进行了全面且系统的深入剖析，旨在为读者提供清晰、详尽的学习和实践指南。书中不仅涵盖了LED芯片制造的基本原理、工艺流程，还深入探讨了可靠性测试的关键技术和方法。具体内容包括LED基本原理、参数与特性，LED材料制备方法与检测技术，AlGaInP黄红光LED外延芯片设计与制造技术，In

本书旨在普及全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）知识，帮助读者理解纳米FD-SOI器件的概念、机理及现实意义，掌握表征和分析技术。本书围绕FD-SOI的基本概念和主要环节展开，共10章。第1章为FD-SOI技术，主要介绍FD-SOI晶圆的制备工艺和关键技术，包括晶圆键合、切割和优化方法；第2章主要介绍耦合效应，包括FD-S