改性锗半导体物理

定　　价：20 元

• 作者：宋建军 著
• 出版时间：2021/3/1
• ISBN：9787560659510
• 出 版 社：西安电子科技大学出版社

• 中图法分类：TN304.1 
• 纸张：胶版纸
• 版次：1
• 开本：16开

内容简介

本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗 MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。

本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可供其他相关专业的学生参考。