本书分3章，共26个实验，第1章为基础工艺，包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀等；第2章为检测测量技术，包含MSFET器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度等；第3章为工艺基础及应用，包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验等。
■ 章基础工艺
实验11真空技术/2
实验12硅片的清洗及氧化 /10
实验13光刻工艺流程实验教学/16
实验14氧等离子体刻蚀/20
实验15等离子体增强化学气相沉积/27
实验16磁控溅射法制备金属薄膜/33
实验17原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及
工艺流程/38
■ 第二章检测测量技术
实验21MOSFET器件性的测量与分析/45
实验22椭圆偏振仪测薄膜厚度/51
实验23紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56
实验24傅立叶变换红外光谱法(FTIR)
测定硅中杂质氧的含量/62
实验25等离子体朗缪尔探针诊断技术/68
附录/74
实验26等离子体发射光谱诊断技术/78
附录/83
实验27质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84
实验28半导体二极管的伏安性及温度性/90
实验29ICCD器件的性研究及应用/95
实验210四探针法测量相变材料的变温电阻线/104
实验211薄膜厚度和形貌测量/111
■ 第三章工艺基础及应用
实验31表面波等离子体放电实验/118
实验32脉冲放电等离子体性实验/125
实验33低气压容性耦合等离子体性实验/130
附录/135
实验34低气压感性耦合等离子体(ICP)性实验/137
实验35等离子体晶格/141
实验36等离子体功能材料制备与光学性能检测/147
实验37低温等离子体染料废水处理实验/151
实验38低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160
■ 参考文献/164
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